用单层整体金刚石结构替代笨重的多组件组件，适用于敏感的超高密度集成电路。
BDD 核心在宽频范围内吸收微波干扰
本征金刚石基层防止裸芯片短路
内置温度监测，直接位于芯片上方
可选金属涂层阻挡传入的外部干扰
为最苛刻的超高密度集成电路封装应用而设计。
系统级封装（SiP）设计
本征金刚石层可防止裸芯片电气短路，使热扩散器可直接、亲密接触硅。这最大化热传递，而 BDD 核心吸收芯片间微波干扰。
激光阵列热管理
激光对温度漂移高度敏感。盖子的内置 BDD 温度传感直接在 PIC 上方提供实时、高度局部化的结温读数，使系统逻辑能够即时调整冷却，外部传感器无延迟。