單晶CVD金剛石

單晶
CVD 金剛石晶圓

單晶金剛石板材和晶圓,將最高熱導體引入晶圓級封裝和大尺寸 AI 中介層。

超越矽。超越規模。

歷史上金剛石晶圓一直被限制在較小尺寸——對現代 AI 封裝毫無用處。我們先進的 CVD 技術改變了一切。

標準與晶圓級規格

標準矩形板材今日可供,更大晶圓級規格可在選定合作夥伴中進行資質認證。

>2200 W/m·K 熱導率

單晶金剛石提供任何材料的最高熱導率——在整個襯底上均勻擴散熱點。

外延就緒表面選項

外延就緒表面選項可實現 GaN-on-Diamond 和其他先進異質結構的原子級直接鍵合。

幾何與尺寸屬於合作夥伴級內容

登入後可查看我們 SCD 晶圓系列的標準幾何、表面光潔度選項和厚度範圍。Custom DFM 可按需提供任何外形。

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匹配部件與應用

為下一代 AI 封裝而設計

我們的 SCD 晶圓支援晶圓級封裝、GaN-on-Diamond 整合和超高功率測試。

整體式 AI 晶片 / GPU 中介層

AI 加速器的 2.5D/3D 先進封裝

連續的 SCD 板材將 GPU 裸晶片的極端局部熱點均勻分散到整個襯底,防止熱降頻並保護相鄰的 HBM 堆疊。

工程化半導體襯底

GaN-on-Diamond 或 Silicon-on-Diamond

外延就緒表面選項可實現原子級直接鍵合,用於具有整合金剛石散熱的大規模射頻或功率晶片陣列。

先進測試卡盤與探針卡

1000W+ HPC 晶片的晶圓級測試

防止未封裝的半導體晶片因高電流 fab 測試期間的過熱而自毀,顯著提高良率。

GaN-on-Diamond

CPO 激光驅動器的 GaN-on-Diamond

氮化鎵 (GaN) on Diamond 襯底是 CPO 激光驅動 IC 的理想選擇。GaN 提供高電子遷移率以實現高頻工作,而金剛石提供極端熱導率以處理密集激光陣列的熱負荷。

標準外形支援標準 fab 加工用於 GaN-on-Diamond 異質外延,使其適用於大批量 CPO 光引擎生產。

GaN-on-Diamond 對 CPO 的優勢

  • 用於 200G SerDes 激光驅動器的高頻工作
  • 用於密集 CW 激光陣列的極端熱管理
  • 標準外形用於大批量生產
  • 原子級表面光潔度用於直接鍵合

標準尺寸屬於合作夥伴級內容

登入後可查看最常製造的 SCD 配置(矩形板材和圓形晶圓)。Custom DFM 可按需提供任何幾何。

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Partner-only content

登入後可查看我們的擴展能力表(包括當前晶圓級資質認證)並討論非標準外形的 Custom DFM。

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請告知您的目標晶圓或板材尺寸

請告知您的目標尺寸、表面光潔度要求和數量,我們將在 48 小時內回覆一份 Custom DFM 方案和報價。